Sputterend het Depositosysteem van het kopermagnetron, Directe LEIDENE van On van de Platerenkuiper Ceramische Substraten
Prestaties
1. Uiteindelijke Vacuümdruk: dan beter 5.0×10-6 Torr.
2. Werkende Vacuümdruk: 1.0×10-4 torr.
3. Pumpingdowntijd: van 1 ATM aan 1.0×10-4 Torr≤ 3 minuten (kamertemperatuur, droge, schone en lege kamer)
4. Metalizingsmateriaal die (+ Boogverdamping sputteren): Ni, Cu, Ag, Au, Ti, Zr, Cr enz.
5. Werkend Model: Volledig automatisch /Semi-Auto/ manueel
Structuur
De vacuümdeklaagmachine bevat zeer belangrijk voltooid hieronder vermeld systeem:
1. Luchtledige kamer
2. Rouhgings Vacuüm Pompend Systeem (Steunend Pomppakket)
3. Hoog Vacuüm Pompend Systeem (magnetisch Opschortings Moleculaire Pomp)
4. Elektrocontrole en Verrichtingssysteem
5. Het Systeem van de Auxiliarryfaciliteit (Subsysteem)
6. Depositosysteem
De Machine Zeer belangrijke Eigenschappen van de koper Sputterende Deklaag
1. Uitgerust met 8 kathoden van de jonge osboog en de Sputterende Kathoden van gelijkstroom, MF Sputterende Kathoden, Ionen broneenheid.
2. Multilayer en beschikbare mede-depositodeklaag
3. De ionenbron voor plasma het schoonmaken voorbehandeling en Ionenstraal stond deposito bij om de filmadhesie te verbeteren.
4. Ceramische Al2O3/AlN-substraten die omhoog eenheid verwarmen;
5. Van de substraatomwenteling en revolutie systeem, voor 1 zijdeklaag en 2 kanten het met een laag bedekken.
DPC noemde Direct Geplateerd die Koper, ook als direct Verkoperensubstraten wordt bekend. Het DPC proces:
1. Ten eerste, krijg Koper op ceramisch substraat met PVD-technologie direct wordt geplateerd die. Het bevat plasma het schoonmaken, stappen van het kuiper de sputterende deposito, die een laag van dunne koperlaag op ceramische spaanders produceren;
2. Ten tweede is de blootstelling, de ontwikkeling, ets, film die stroomgrafiek verwijderen;
3. Uiteindelijk, gebruik het het galvaniseren/chemisch platerenproces om de dikte van de depositofilm te verhogen tot photoresist wordt verwijderd, is het metalizationproces gebeëindigd.
DPC eigenschappen van het proces de ceramische substraat:
1. Veel lagere productiekost.
2. Opmerkelijke thermische beheers en hitte-overdracht prestaties
3. Nauwkeurig groepering en patroonontwerp,
4. Hoge kringsdichtheid
5. Goede adhesie en solderability
wegens deze worden de geavanceerde prestaties, de DPC substraten wijd gebruikt in diverse toepassingen:
Hoge helderheidsleiden om de tijd met lange levensuur wegens zijn hoge prestaties van de hittestraling, Halfgeleidermateriaal, microgolfdraadloze communicatie, militaire elektronika, diverse sensorsubstraten, ruimte, spoorwegvervoer, elektriciteitsmacht, enz. te verhogen
Rtac1215-SP het materiaal wordt uitsluitend ontworpen voor DPC proces wat de kuiperlaag op substraten krijgen. Dit materiaal gebruikt principe van het de dampdeposito van PVD het fysieke, met multi-boog ionenplateren en magnetron het sputteren technieken om de ideale film met hoogte te verkrijgen - dichtheid, hoge schuringsweerstand, hoge hardheid en sterke band in hoog vacuümmilieu. Het is de essentiële stap voor rust DPC proces.
Sputterende Kathode:
Ion Source Plasma Cleaning
Tevreden om ons voor meer specificaties te contacteren, is de Koninklijke Technologie geëerd om u te verstrekken totale deklaagoplossingen.
