Medio - Sputterende de Deklaagmachine van het Frequentiemagnetron, MF Sputterende Deklaaginstallatie, Sputterend Vacuümdepositosysteem

Sputterende de Deklaagmachine van het medio-frequentiemagnetron/MF Sputterend Systeem  

Het magnetron die Vacuümdeklaag sputteren is een type van Ionen het Platerenoppervlaktebehandeling van PVD menthod. Het kan voor de productie worden gebruikt van het leiden van of niet het leiden van films, op vele typesmaterialen: metalen, glas, ceramisch, plastic, metaallegering. Het het sputteren depositoconcept: het deklaagmateriaal (doel, ook genoemd kathode) en de het werkstukken (substraten, ook genoemd anode) worden geplaatst in de luchtledige kamer en de druk wordt verminderd. Het sputteren wordt in werking gesteld door het doel onder een differintial voltage te plaatsen en Argongas te introduceren dat argonionen (gloedlossing) vormt. De argonionen versnellen naar het procesdoel en verplaatsen doelatomen. Deze sputterende atomen zijn dan gecondenseerd op de substraat en vorm zeer dunne en hoge uniformiteitslaag. Diverse kleuren kunnen worden bereikt door reactieve gassen als te introduceren, stikstof, oxgen, of het acetyleen in sputtert gass tijdens deklaagproces.

Magnetron Sputterende Modellen: Gelijkstroom-het Sputteren, MF het Sputteren, rf-het Sputteren

Wat sputtert MF?

Het vergeleken met het sputteren van gelijkstroom en rf-, medio-Frequentie is sputteren een hoofd dunne film het sputteren techniek voor massaproduktie van deklaag, in het bijzonder voor het filmdeposito van diëlektrische en niet geleidende filmdeklagen op oppervlakten zoals optische deklagen, zonnepanelen, veelvoudige lagen, samengesteld materiaalfilm enz. geworden.

Het vervangt rf-sputteren wegens in werking gesteld het met kHz eerder dan Mhz voor een veel sneller depositotarief en kan ook de Doelvergiftiging tijdens samenstelling vermijden filmt dun deposito zoals gelijkstroom.

MF sputterende doelstellingen er bestonden altijd met twee-reeksen. Twee die kathoden worden met een AC stroom gebruikt afwisselend tussen hen wordt geschakeld welke de doeloppervlakte met elke omkering schoonmaakt om de lastenopeenhoping op diëlektrica te verminderen die tot het een boog vormen leidt die druppeltjes kan spuiten in het plasma en de eenvormige dunne filmgroei verhinderen- welke is wat wij Doelvergiftiging noemden.

MF het Sputteren Systeemprestaties

1. Uiteindelijke Vacuümdruk: dan beter 5.0×10-6 Torr.

2. Werkende Vacuümdruk: 1.0×10-4 torr.

3. Pumpingdowntijd: van 1 ATM aan 1.0×10-4 Torr≤ 3 minuten (kamertemperatuur, droge, schone en lege kamer)

4. Metalizingsmateriaal die (+ Boogverdamping sputteren): Ni, Cu, Ag, Au, Ti, Zr, Cr, Tin, Tic, TiAlN, CrN, CrC, enz.

5. Werkend Model: Volledig automatisch /Semi-Auto/ manueel

MF Sputterende Systeemstructuur

De vacuümdeklaagmachine bevat zeer belangrijk voltooid hieronder vermeld systeem:

1. Luchtledige kamer

2. Rouhgings Vacuüm Pompend Systeem (Steunend Pomppakket)

3. Hoog Vacuüm Pompend Systeem (magnetisch Opschortings Moleculaire Pomp)

4. Elektrocontrole en Verrichtingssysteem

5. Het Systeem van de Auxiliarryfaciliteit (Subsysteem)

6. Depositosysteem: MF sputterende kathode, MF voeding, Bias Voeding Ionenbron voor facultatief

MF het Sputteren de Specificaties van Systeem rtsp1212-MF

Wij hebben meer modellen voor uw selectie! 

Tevreden om ons voor meer specificaties te contacteren, is de Koninklijke Technologie geëerd om u te verstrekken totale deklaagoplossingen.